[16p-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [16p-B1-9] AlGaN/GaNヘテロ構造の光電気化学特性と低損傷加工技術への応用

〇熊崎 祐介¹、植村 圭佑¹、佐藤 威友¹ (1.北大量集セ)

キーワード：電気化学エッチング、AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ、パワーデバイス

リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの高性能化に向けて、電気化学的手法による低損傷微細加工技術の実現を目指した。光電気化学測定の結果から、印加電圧および照射光波長により電気化学反応に寄与するキャリアの供給過程に違いが見られることを明らかにした。このキャリア供給過程を制御することにより、局所的エッチングを抑制し均一性・制御性を高めることに成功した。そのため本手法は低損傷性と高制御性の両立が可能であると考えられる。