[16p-B10-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[16p-B10-1] ⼤⼝径ウェハからハーフインチへのクリヌキ加⼯プロセス開発と評価

〇梅山 規男^1,2、酒井 孝昭³、鍛冶倉 惇³、市川 浩⼀郎³、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ技術研究組合、3.不⼆越機械⼯業)

キーワード：ミニマル、ウェハ

ミニマルファブに用いているハーフインチウェハの形成方法及びそのウェハ評価について報告する。ハーフインチでは、ウェハ端部の占める割合が多く、洗浄やレジスト塗布等のプロセスで、特に端部形状が影響するため、端部形状を様々に変え、最適化した。また小径の結晶から切り出さず、大きなウェハから刳り貫くプロセスを確立した。Siをはじめ、SOI、GaAs、Ga₂O₃での刳り貫き加工プロセス、Siウェハの不純物等の評価結果を報告する。