[16p-B10-1~12] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /MEMS/Integration technology

[16p-B10-2] Effect of thermal convection on the Minimal Si-CVD equipment (II)

〇Yuuki Ishida^1,2, Takanori Mikahara^1,2, Noriko Miura², Takahiro Ito³, Shinichi Ikeda^1,2, Hitoshi Habuka⁴, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL, 3.ORIENTAL MOTER Co, 4.YNU)

Keywords:CVD, Minimal

キャリアガスであるH₂の流量を100 sccmまで削減できるが、成長温度を高くすると、熱対流により原料が基板に到達しなくなり、成長レートが落ちるという現象が観測されている。シミュレーションによれば、ガス導入ノズルを基板上空5 mmまで伸ばし、そこからガスを基板に吹き付けるようにすれば、熱対流を抑えられることが示唆された。本発表では、実際にノズルをCVD装置に取り付けて実験を行ったので、その結果を報告する。