[16p-B10-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[16p-B10-2] ミニマルSi-CVD装置における熱対流の影響（II）

〇石田 夕起^1,2、三ケ原 孝則^1,2、三浦 典子²、伊藤 孝宏³、池田 伸一^1,2、羽深 等⁴、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ技組、3.オリエンタルモーター、4.横国大)

キーワード：CVD、ミニマル

キャリアガスであるH₂の流量を100 sccmまで削減できるが、成長温度を高くすると、熱対流により原料が基板に到達しなくなり、成長レートが落ちるという現象が観測されている。シミュレーションによれば、ガス導入ノズルを基板上空5 mmまで伸ばし、そこからガスを基板に吹き付けるようにすれば、熱対流を抑えられることが示唆された。本発表では、実際にノズルをCVD装置に取り付けて実験を行ったので、その結果を報告する。