[16p-B10-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[16p-B10-4] 集光型赤外線加熱炉を用いたハーフインチシリコンCVD装置(7)

〇李 寧¹、松尾 美弥¹、羽深 等¹、三ケ原 孝則²、池田 伸一^2,3、石田 夕起^2,3、原 史朗^2,3 (1.横国大院工、2.ミニマルファブ技術研究組合、3.産総研)

キーワード：ミニマル・マニュファクチャリング、シリコンエピ成長、熱移動

小さなウエハによる半導体生産システム「ミニマル・マニュファクチャリング」が提案されている。これに用いるために、我々は集光型赤外線加熱炉によるCVD装置を用いて、シリコン薄膜成長プロセスを開発している。今回は、これまでの研究を基に、装置内の熱移動について検討した。特に、水素ガス流量と基板の温度について検討したので、その詳細を報告する。