[16p-B10-1~12] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /MEMS/Integration technology

△ [16p-B10-6] Investigations of the Mechanism of Photoresist Removal in Water Plasma Ashing

〇TAKUYA KITANO¹, HIROAKI SUZUKI¹, ARUFUA SHIOTA¹, TATSUO ISHIJIMA¹, YASUNORI TANAKA¹, YOSHIHIKO UESUGI¹, SOMMAWAN KHUMPUANG^2,3, SHIRO HARA^2,3 (1.Kanazawa Univ., 2.MINIMAL, 3.AIST)

Keywords:water plasma ashing, minimal fab, spectroscopic diagnostics

水プラズマを利用した独自のレジスト除去法(水プラズマアッシング)は，超純水を原料ガスとして，プラズマ中に水由来の活性種(OHラジカル等)を生成しアッシングを行う。本手法を多品種少量生産に特化したミニマルファブの規格に適合させて，デバイス試作および評価を行うことを目指し研究開発を進めている。今回，水プラズマアッシングプロセスにおける分光診断を行い，そのメカニズムに関する検討を行ったので報告する。