[16p-B10-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[16p-B10-8] ミニマル集光加熱炉で形成したゲート酸化膜の電気特性

〇三浦 典子¹、居村 史人^1,2、山田 武史^1,3、相澤 洸^1,3、池田 伸一^1,2、石田 夕起^1,2、三ヶ原 孝則^1,2、大西 康弘^1,3、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.ミニマルファブ、2.産総研、3.米倉製作所)

キーワード：ミニマル、熱酸化、加熱炉

Siのドライ酸化プロセスにおける加熱炉体への大気巻込みは、トランジスタ特性を劣化させる。ミニマルプロセスで良質な熱酸化膜を安定して形成するために、我々は密閉式チャンバーを用いたミニマル集光加熱炉を開発し、大気巻込みの抑制を行った。その結果、装置周辺の湿度に左右されない良好なトランジスタ特性を得た。