[16p-B10-1~12] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /MEMS/Integration technology

[16p-B10-9] Characterization of p-MOS formed using the minimal furnace that irradiates a wafer with laser from the backside

〇kazushige sato¹, takashi chiba^1,3, masao terada^1,3, ikeda shinichi^1,2, Sommawan Khumpuang^1,2, shiro hara^1,2 (1.Minimal Fab Development Association, 2.AIST, 3.Sakaguchi E.H VOC Corp.)

Keywords:laser heating, minimal

ウェハ裏面からレーザ照射できるレーザ加熱装置によりゲート酸化膜を形成し、p-MOSトランジスタを作製、特性評価した。結果、良好なトランジスタ特性を得、本装置のデバイス・プロセスへの適用可能の見通しを得た。