[16p-B7-1~13] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

△ [16p-B7-8] リモート窒素プラズマの照射によるSiCの表面窒化特性のサンプル温度依存性

〇嶋林 正晴¹、栗原 一彰²、佐々木 浩一¹ (1.北大工、2.IMEC/Toshiba)

キーワード：SiC、窒化、半導体

これまでの研究で，リモート窒素プラズマを用いた窒化処理中にSiCの温度を-110℃以下に制御すると酸素を含まない純粋な窒化層が形成できることが分かっている。本講演では，SiCの温度を室温，-60℃，および-110℃以下に制御して窒化処理したサンプル表面の元素組成比を比較した結果について報告する。それに加えて，窒化処理後のサンプル表面の形態分析の結果について報告する。