[16p-C302-1~9] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[16p-C302-1] [講演奨励賞受賞記念講演] 酸化性および還元性雰囲気におけるゲート酸化膜成長前の高温熱処理がSiC MOSFET移動度に与える影響

〇平井 悠久¹、喜多 浩之¹ (1.東大院工)

キーワード：SiC、MOS、移動度

近年、高温熱処理によるSiC基板の特性の変化が報告されている。そこで本研究は、ゲート酸化膜成長前に行った高温の熱処理が、SiC MOSFET移動度に与える影響を評価するために実験を行った。その結果、特に酸化性雰囲気でのみ移動度の劣化が起こることがわかった。昇温脱離ガス分析法による評価結果から、基板中への酸素の蓄積が移動度の劣化と関わっている可能性がある。