[16p-C302-1~9] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [16p-C302-6] Ultra-high-temperature Oxidation under Low Oxygen Partial Pressure toward Ideal SiO₂/SiC Interface

〇YOSHIHITO KATSU¹, Hidenori Tsuji^1,2, Takuji Hosoi¹, Takayoshi Shimura¹, Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ., 2.Fuji Electric Co., Ltd.)

Keywords:SiC MOS, Thermal oxidation, Interface defect

超高温・低酸素分圧下でSiCを熱酸化することでSiO₂/SiC界面特性の向上を図った。その結果、n型とp型のどちらにおいても1200°Cで酸素分圧1 atmで酸化して作製したMOSキャパシタにおいて界面欠陥に起因するヒステリシスが見られた。それに対し、1600°Cで酸素分圧0.003 atmで酸化して作製した試料においてはヒステリシスやフラットバンド電圧シフトの低減が確認できた。