[16p-C302-1~9] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [16p-C302-6] 理想SiO₂/SiC界面の実現に向けた超高温・低酸素分圧酸化の検討

〇勝 義仁¹、辻 英徳^1,2、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.富士電機)

キーワード：SiC MOS、熱酸化、界面欠陥

超高温・低酸素分圧下でSiCを熱酸化することでSiO₂/SiC界面特性の向上を図った。その結果、n型とp型のどちらにおいても1200°Cで酸素分圧1 atmで酸化して作製したMOSキャパシタにおいて界面欠陥に起因するヒステリシスが見られた。それに対し、1600°Cで酸素分圧0.003 atmで酸化して作製した試料においてはヒステリシスやフラットバンド電圧シフトの低減が確認できた。