17:00 〜 17:15 [20p-S423-13] FLAを用いたn+/p接合Geにおける高活性化と浅い接合形成 〇谷村 英昭1、河原崎 光1、小野 行雄1、山田 隆泰1、加藤 慎一1、青山 敬幸1、小林 一平1 (1.SCREENセミコンダクターソリューションズ)