15:00 〜 15:15 [20p-S423-6] CWレーザーアニール法による非晶質基板上Si薄膜の(100)面配向結晶化 〇(M2)仁枝 嘉昭1、佐々木 伸夫2、菱谷 大輔1、堀田 昌宏3、石河 泰明1、浦岡 行治1 (1.奈良先端大、2.日本女子大、3.京大)