Fei Jiayang

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発表者・著者、共著者

2016年3月20日(日) 13:45 〜 18:15 S221 (南2号館)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.3 絶縁膜技術

[20p-S221-1~17] 13.3 絶縁膜技術

15:00 〜 15:15

▲ [20p-S221-6] Anomalous Flatband Voltage Shift of AlF_xO_y/Al₂O₃ MOS Capacitors: Dipole Layer Formation at Dielectric Interfaces with Different Anions

〇(D)Fei Jiayang¹、Kita Koji¹ (1.The Univ. of Tokyo)