一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術
2016年3月20日(日) 13:45 〜 18:15 S221 (南2号館)
△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし
13:45 〜 14:00
〇小澤 悠平1,2、竹中 充1,2、高木 信一1,2 (1.東大院工、2.JST-CREST)
スケジュール
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14:00 〜 14:15
〇(D)張 志宇1,2、竹中 充1,2、高木 信一1,2 (1.東大院工、2.JST-CREST)
スケジュール
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14:15 〜 14:30
〇清水 康雄1、韓 斌1、涂 远1、井上 耕治1、矢野 史子2、井上 真雄3、国宗 依信4、島田 康弘4、片山 俊治4、井手 隆4、永井 康介1 (1.東北大金研、2.東工大、3.ルネサス、4.ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング)
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14:30 〜 14:45
〇平岩 篤1、松村 大輔2、川原田 洋1,2 (1.早大ナノライフ、2.早大理工)
スケジュール
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14:45 〜 15:00
〇吉嗣 晃治1、石河 泰明1、高橋 清2、浦岡 行治1 (1.奈良先端大、2.日本アルキルアルミ)
スケジュール
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15:00 〜 15:15
〇(D)Fei Jiayang1、Kita Koji1 (1.The Univ. of Tokyo)
スケジュール
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15:15 〜 15:30
〇鎌田 啓伸1、喜多 浩之1 (1.東大院工)
スケジュール
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15:30 〜 15:45
〇(B)女屋 崇1,2、生田目 俊秀2、澤田 朋実2、栗島 一徳1,2、大井 暁彦2、知京 豊裕2、小椋 厚志1 (1.明治大学、2.物材機構 WPI-MANA)
スケジュール
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15:45 〜 16:00
〇杉野 優介1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大院工)
スケジュール
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16:00 〜 16:15
〇安達 裕1、坂口 勲1 (1.物材機構)
スケジュール
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16:30 〜 16:45
〇(M1C)國光 俊作1、稲野 基1、羽路 伸夫1 (1.横国大院工)
スケジュール
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16:45 〜 17:00
〇高石 理一郎1、井野 恒洋1、藤井 章輔1 (1.東芝)
スケジュール
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17:00 〜 17:15
〇上牟田 雄一1、藤井 章輔1、高石 理一郎1、井野 恒洋1、中崎 靖1、齋藤 真澄1、小山 正人1 (1.東芝研開セ)
スケジュール
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17:15 〜 17:30
〇(D)Xu Lun1、Nishimular Tomonori1、Shibayama Shigehisa1、Yajima Takeaki1、Migita Shinji2、Toriumi Akira1 (1.Univ. Tokyo、2.AIST)
スケジュール
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17:30 〜 17:45
〇厳樫 一孝1、柴山 茂久1,2、矢嶋 赳彬1、西村 知紀1、右田 真司3、鳥海 明1 (1.東大院工、2.学振特別研究員(PD)、3.産総研)
スケジュール
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17:45 〜 18:00
〇柴山 茂久1,2、徐 倫1、右田 真司3、鳥海 明1 (1.東大院工、2.学振特別研究員、3.産総研)
スケジュール
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18:00 〜 18:15
〇柴山 茂久1,2、徐 倫1、右田 真司3、鳥海 明1 (1.東大院工、2.学振特別研究員、3.産総研)
スケジュール
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