Huynh ThiCamTu

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発表者・著者、共著者

2016年3月20日(日) 13:45 〜 18:45 S423 (南4号館)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[20p-S423-1~19] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

18:30 〜 18:45

▲ [20p-S423-19] Low Temperature Cat-Doping of Phosphorous Atoms into Crystalline Silicon through Ultrathin SiO₂ Layer

〇(P)Huynh ThiCamTu¹、Koyama Koichi¹、Terashima Shigeki¹、Matsumura Hideki¹ (1.JAIST)