13:30 〜 15:30 [20p-P9-2] GaN自立基板を用いたInAlN/AlN/GaN HEMTのデバイス特性 〇山下 良美1、渡邊 一世1、遠藤 聡1,2、笠松 章史1、三村 高志1,2 (1.情報通信研究機構、2.富士通研)