18:45 〜 19:00 △ [20p-H121-21] Si3N4による高AlNモル分率n-AlGaN用V系電極の低接触比抵抗化 〇永田 訓章1、森 一喜1、武田 邦宏1、草深 敏匤1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1、赤﨑 勇1,2 (1.名城大・理工、2.名古屋大,赤﨑記念研究センター)