[20p-H121-1~24] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [20p-H121-21] Low resistivity Ohmic contact V-based electrode contributed by using Si₃N₄ for high AlN molar fraction n-type AlGaN

〇Noriaki Nagata¹, Kazuki Mori¹, Kunihiro Takeda¹, Toshiki Kusafuka¹, Motoaki Iwaya¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Isamu Akasaki^1,2 (1.Fac. Sci.&Tech., Meijo Univ, 2.Akasaki Research Center., Nagoya Univ.)

Keywords:n-AlGaN

これまでに本グループではV/Al/Ni/AuもしくはV/Al/Ti/Au電極を用いることによってAlNモル分率が0.6まで低接触比抵抗が10^-6 Ωcm²台の電極が実現可能であることを報告してきた。一方で、AlNモル分率を0.7まで増大させると、接触比抵抗が10^-3Ωcm²台まで増大してしまうという課題が残されてきた。本報告では、n型AlGaN層とV系電極の界面にSi₃N₄層を挿入することによってAlNモル分率0.7のAlGaNで10^-6Ωcm²台の低接触比抵抗が得られることが分かったので報告する。