16:45 〜 17:00 [19p-H121-12] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によるInGaN/GaN単一量子ディスクナノLEDの作製 〇小川 航平1、蜂屋 諒1、水谷 友哉1、石嶋 駿1、菊池 昭彦1,2 (1.上智大理工、2.上智大学ナノテクセンター)