15:30 〜 15:45 △ [20p-H101-9] 超高次非線形誘電率顕微鏡法を用いた局所DLTS法の提案とSiO2/SiC界面評価への応用 〇茅根 慎通1、小杉 亮治2、田中 保宣3、原田 信介2、奥村 元2、長 康雄1 (1.東北大、2.産総研、3.内閣府)