CHANG WENHSIN

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発表者・著者、共著者

2016年3月21日(月) 09:00 〜 12:15 S422 (南4号館)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.5 デバイス／集積化技術

[21a-S422-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

11:30 〜 11:45

▼ [21a-S422-8] Realization of Ge n- and p-MOSFETs by using low thermal budget ionimplantation after germanidation technique (< 400 °C)

〇(P)CHANG WENHSIN¹、Ota Hiroyuki¹、Maeda Tatsuro¹ (1.AIST)