18:30 〜 18:45 [21p-H111-22] Ti系薄膜およびTiナノドットを埋め込んだSiOx膜の抵抗変化特性評価 〇加藤 祐介1、大田 晃生1、牧原 克典1、宮崎 誠一1 (1.名大院工)