一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
13:00 〜 13:15
〇山田 友輝1、魚本 幸2、島津 武仁2、名田 允洋1、松崎 秀昭1 (1.NTT先端集積デバイス研、2.東北大学)
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13:15 〜 13:30
〇(M2)辻 大介1、磯野 恭佑1、竹鶴 達哉1、藤川 紗千恵1、渡邊 一世2、山下 良美2、遠藤 聡2、原 紳介2、笠松 章史2、藤代 博記1 (1.東理大院基礎工、2.情報通信研究機構)
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13:30 〜 13:45
〇渡邊 一世1、遠藤 聡1,2、三村 高志1,2、笠松 章史1 (1.情報通信研究機構、2.富士通研究所)
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13:45 〜 14:00
〇白鳥 悠太1、星 拓也1、柏尾 典秀2、栗島 賢二1、日暮 栄治3、松崎 秀昭1 (1.NTT先端集積デバイス研、2.NTTデバイスイノベーションセンタ、3.東京大学)
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14:00 〜 14:15
〇木下 治紀1、木瀬 信和1、祢津 誠晃1、金澤 徹1、宮本 恭幸1 (1.東工大院理工)
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14:15 〜 14:30
〇嘉数 誠1、原田 和也1、古賀 優太1、花田 賢志1、大石 敏之1 (1.佐賀大院工)
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14:30 〜 14:45
〇小西 敬太1、上村 崇史1、ワン マンホイ1、佐々木 公平2,1、倉又 朗人2、山腰 茂伸2、東脇 正高1 (1.情通機構、2.タムラ製作所)
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14:45 〜 15:00
〇Wong ManHoi1、Sasaki Kohei2,1、Kuramata Akito2、Yamakoshi Shigenobu2、Higashiwaki Masataka1 (1.NICT、2.Tamura Corp.)
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