一般セッション(口頭講演) | 12 有機分子・バイオエレクトロニクス | 12.7 医用工学・バイオチップ [21a-W331-1~12] 12.7 医用工学・バイオチップ 2016年3月21日(月) 09:00 〜 12:15 W331 (西2・3号館) 野田 俊彦(奈良先端大)、徳田 崇(奈良先端大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション [19a-S223-1~13] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション 2016年3月19日(土) 09:00 〜 12:30 S223 (南2号館) 森 伸也(阪大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション [19p-S223-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション 2016年3月19日(土) 15:30 〜 18:00 S223 (南2号館) 上野 智雄(農工大)、嵯峨 幸一郎(ソニー)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.2 探索的材料物性・基礎物性 [21a-S223-1~13] 13.2 探索的材料物性・基礎物性 2016年3月21日(月) 09:00 〜 12:30 S223 (南2号館) 末益 崇(筑波大)、寺井 慶和(九工大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.2 探索的材料物性・基礎物性 [21p-S223-1~17] 13.2 探索的材料物性・基礎物性 2016年3月21日(月) 13:30 〜 18:00 S223 (南2号館) 山口 憲司(原子力機構)、原 康祐(山梨大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.3 絶縁膜技術 [20a-S221-1~12] 13.3 絶縁膜技術 2016年3月20日(日) 09:00 〜 12:15 S221 (南2号館) 石田 猛(日立)、小山 正人(東芝)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.3 絶縁膜技術 [20p-S221-1~17] 13.3 絶縁膜技術 2016年3月20日(日) 13:45 〜 18:15 S221 (南2号館) 渡邉 孝信(早大)、舟窪 浩(東工大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術 [19a-S423-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術 2016年3月19日(土) 09:00 〜 12:30 S423 (南4号館) 佐々木 実(豊田工大)、角村 貴昭(東京エレクトロン)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術 [19p-S423-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術 2016年3月19日(土) 13:45 〜 18:15 S423 (南4号館) 中村 友二(富士通研)、角嶋 邦之(東工大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術 [20a-S423-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術 2016年3月20日(日) 09:00 〜 12:15 S423 (南4号館) 佐々木 実(豊田工大)