〇(PC)Nguyen Cong Thanh¹、 Koyama Koichi¹、 Terashima Shigeki¹、 Okamoto Chikao²、 Sugiyama Shuichiro²、 Ohdaira Keisuke¹、 Matsumura Hideki¹ (1.JAIST (Japan Adv. Inst. Sci. & Tech.)、2.SHARP Corporation)

16:30 〜 16:45

△ [20p-S611-12] 結晶Si太陽電池におけるポストプラズマ処理を用いたSiNパッシベーション特性

〇山下祥弘¹、池野成裕¹、小島拓人¹、肥山卓矢¹、小椋厚志¹ (1.明治大理工)

16:45 〜 17:00

[20p-S611-13] a-Si_1-xO_x:Hヘテロ接合太陽電池構造に対する少数キャリアライフタイム温度依存測定

〇稲葉真宏¹、宮島晋介¹ (1.東工大院理工)

17:00 〜 17:15

[20p-S611-14] Al₂O₃パッシベーション膜を堆積した結晶シリコンの実効少数キャリアライフタイムの温度依存性

〇(M1)増田貴永¹、稲葉真宏¹、宮島晋介¹ (1.東工大院理工)

17:15 〜 17:30

[20p-S611-15] 電界効果パッシベーションにおける実効少数キャリアライフタイムの温度依存性

〇宮島晋介¹、稲葉真宏¹、増田貴永¹、小林裕美子²、綿引達郎²、時岡秀忠² (1.東工大院理工、2.三菱電機株式会社)

17:30 〜 17:45

[20p-S611-16] 新規アルミニウム材料を用いたスプレー塗布法による
酸化アルミニウム薄膜の作製とそのパッシベーション特性

〇稲葉孝一郎¹、豊田浩司¹、中俊雄¹、宮島晋介² (1.東ソー・ファインケム、2.東工大院理工)

17:45 〜 18:00

[20p-S611-17] レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡とC-V測定によるパッシベーション膜特性の比較評価

〇伊藤明¹、望月敏光³、中西英俊¹、棚橋克人³、川山巌²、斗内政吉²、白澤勝彦³、高遠秀尚³ (1.SCREEN、2.阪大レーザー研、3.産総研)

一般セッション(口頭講演)

[22a-W321-1~16] 16.3 シリコン系太陽電池

2016年3月22日(火) 09:00 〜 13:15 W321 (西2・3号館)

高橋勲(名大)、高濱豪(パナソニック)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[22a-W321-1] a-Si/c-Siヘテロ接合太陽電池のa-Si層へのプラズマドーピング

〇小山晃一¹、山口昇²、田中美和²、鈴木英夫²、大平圭介¹、松村英樹¹ (1.北陸先端大、2.株式会社アルバック)

09:15 〜 09:30

[22a-W321-2] a-Siパッシベーション膜へのCat-dopingによる
結晶Siの少数キャリア寿命の変化

〇瀬戸純一¹、大平圭介¹、松村英樹¹ (1.北陸先端大)

09:30 〜 09:45

[22a-W321-3] 液体Siを用いたSiヘテロ接合太陽電池の作製

〇過程¹、大平圭介¹、高岸秀行²、増田高史¹、下田達也¹ (1.JAIST、2.Fukushima Univ.)

09:45 〜 10:00

[22a-W321-4] Cu₂O:N/c-Siヘテロ接合太陽電池のデバイスシミュレーション

〇(M1)竹井雄太郎¹、滝口雄貴¹、宮島晋介¹ (1.東工大院理工)

10:00 〜 10:15

[22a-W321-5] Cu₂O:N/c-Si ヘテロ接合の作製と評価

〇滝口雄貴¹、竹井雄太郎¹、宮島晋介¹ (1.東工大院理工)

10:15 〜 10:30

[22a-W321-6] デバイスシミュレーションによるペロブスカイト/ヘテロ接合結晶Siタンデム太陽電池のトンネル接合層の解析

〇(M1)中西諒¹、滝口雄貴¹、宮島晋介¹ (1.東工大院理工)

10:30 〜 10:45

[22a-W321-7] 低倍率集光型Siヘテロ接合太陽電池の動作解析

〇佐藤綾祐¹、櫻井健太¹、澤野憲太郎¹、 Sichanugrist Porponth²、中田和吉²、小長井誠^1,2 (1.東京都市大学、2.科学技術振興機構)

11:00 〜 11:15

[22a-W321-8] ガス加熱トライオードプラズマCVD法による低温成長a-Si:Hの高品質化

〇新倉ちさと¹、 Sichanugrist Porponth²、宮島晋介³、市川幸美²、小長井誠^2,4 (1.物質･材料研究機構、2.科学技術振興機構、3.東工大院理工、4.都市大総研)

11:15 〜 11:30

[22a-W321-9] 最適な3Dミクロ構造アモルファスSi太陽電池の探索

〇薮野恭平¹、新倉ちさと²、宮島晋介¹、小長井誠^3,4 (1.東工大院理工、2.物質・材料研究機構、3.都市大総研、4.FUTURE-PV Innovation)

11:30 〜 11:45

[22a-W321-10] 高温製膜アモルファスシリコンにおける欠陥密度分布と太陽電池応用

〇傍島靖^1,2、西尾侑典¹、籠島瑛二¹、久保田晴香¹、松田彰久¹、岡本博明^1,2 (1.阪大院基礎工、2.JST-CREST)

11:45 〜 12:00

[22a-W321-11] 表面にフォトニック結晶構造を有するμc-Si太陽電池
-厚膜μc-Si表面へのフォトニック結晶形成による効率向上の検討-

〇元平暉人¹、石崎賢司¹、田中良典¹、 De Zoysa Menaka^1,2、長谷川創¹、野田進¹ (1.京大院工、2.京大白眉)

12:00 〜 12:15

[22a-W321-12] フォトニックナノ構造とMetal Assisted Chemical Etching 法を用いた新規光閉じ込め構造の作製

〇(B)清美樹¹、黒川康良¹、宇佐美徳隆¹ (1.名大院工)

12:15 〜 12:30

[22a-W321-13] Geドット積層条件の変調によるフォトニックナノ構造の形状制御

〇(B)古田大知¹、青沼理¹、黒川康良¹、宇佐美徳隆¹ (1.名大院工)

12:30 〜 12:45

[22a-W321-14] 表面形状のランダムネスを有するフォトニックナノ構造の光学特性解析

〇(M2)青沼理¹、黒川康良¹、太野垣健²、宇佐美徳隆¹ (1.名大院工、2.産総研)

12:45 〜 13:00

[22a-W321-15] 単層Geドットマスクを用いたアルカリエッチングによる結晶Si太陽電池用新規光閉じ込め構造

〇(B)本部惇史¹、黒川康良¹、宇佐美徳隆¹ (1.名大院工)

13:00 〜 13:15

▲ [22a-W321-16] Mask less neutral beam texturing to make nano holes on micro pyramids; broadband optical light trapping in thin wafer based Si (<100 µm) solar cells

〇(PC)Sekhar Halubai¹、 Kubota Tomohiro²、 Kida Yasuhiro¹、 Fukuda Tetsuo¹、 Tanahashi Katsuto¹、 Takato Hidetaka¹、 Kondo Michio¹、 Samukawa Seiji^2,3 (1.Fukushima Renewable Energy Institute, AIST, Japan,、2.Institute of Fluid Science, Tohoku University, Sendai, Japan、3.WPI Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai, Japan)

セッション一覧

16 非晶質・微結晶 » 16.3 シリコン系太陽電池

[19a-W321-1~12] 16.3 シリコン系太陽電池

△ [19a-W321-5] 多結晶Si太陽電池モジュールのKイオンによるPID劣化メカニズム解明に向けた光過渡吸収法の検討

△ [19a-W321-6] 裏面側にエミッターを有するn型c-Si太陽電池モジュールのPID挙動

[20a-W611-1~12] 16.3 シリコン系太陽電池

△ [20a-W611-1] 化学的転写法により形成した極低反射Si表面の光学特性と、高効率太陽電池への応用

△ [20a-W611-2] 化学的転写法による極低反射表面と裏面ナノ構造を用いた結晶Si太陽電池の変換効率向上

▲ [20a-W611-4] A method for removal of single-side doped layers of PERT solar cells

△ [20a-W611-12] 電界効果が太陽電池の変換効率に及ぼす影響

[20p-S611-1~17] 16.3 シリコン系太陽電池

△ [20p-S611-8] 太陽電池用多結晶Siの粒界での応力集中

△ [20p-S611-10] 太陽電池用多結晶Siにおける酸素析出初期状態のフォトルミネッセンス

▼ [20p-S611-11] Effect and Optimization of Chemical Cleaning before Deposition of Cat-CVD Passivation Films to Realize Extremely Low Surface Recombination Velocity on Flat and Textured Structures

△ [20p-S611-12] 結晶Si太陽電池におけるポストプラズマ処理を用いたSiNパッシベーション特性

[22a-W321-1~16] 16.3 シリコン系太陽電池

▲ [22a-W321-16] Mask less neutral beam texturing to make nano holes on micro pyramids; broadband optical light trapping in thin wafer based Si (<100 µm) solar cells

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△ [20a-W611-2] 化学的転写法による極低反射表面と裏面ナノ構造を用いた
結晶Si太陽電池の変換効率向上