[19a-H121-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19a-H121-9] OVPE法によるGaN成長におけるGaN(0001)表面構造の検討

〇河村 貴宏^1,2、北本 啓²、今出 完²、吉村 政志²、森 勇介²、森川 良忠² (1.三重大院工、2.阪大院工)

キーワード：GaN、oxide vapor phase epitaxy、第一原理計算

Oxide vapor phase epitaxy (OVPE) 法は固体副生成物が無く連続成長が可能である事からバルクGaN成長法として期待されており，実用化に向けて成長速度，不純物の取り込みなどに関する結晶成長過程の理解が求められている．エピタキシャル成長は結晶表面で起こる現象であるため，その議論にはまず結晶表面構造を明らかにする必要がある．そこで本研究では第一原理計算を用いてOVPE法によるGaN成長条件下におけるGaN(0001)表面構造について検討した．