[19a-S223-1~13] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[19a-S223-3] Prallel computation by using Three-dimensional device simulator

〇Takuhito Kuwabara¹, Yasuyuki Ookura¹, Ken Yamaguchi¹, Hideaki Koike¹ (1.AdvanceSoft)

Keywords:semiconductor,Three-dimension,device simulator

我々は開発中の３次元プロセス－デバイスシミュレータAdvance/T-CADの並列化を行い、その効率等の測定を行った。図１に３次元デバイスシミュレータによって作成したnMOS構造とドーピングプロファイルを示している。図２は、このモデルをメッシュ数5584464で計算した場合の並列化効率を示し、値が小さい程並列化効率が高いことを示している。１６コア辺りで効率が落ちる時があるが、その他では１２８コアまでコア数に比例して計算時間の短縮に成功した結果を得た。