[19a-S223-1~13] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[19a-S223-8] Suppression of the parasitic bipolar effect of the SOI-MOSFET by narrowing band-gap in Source/Drain region

〇(M1)Yusuke Wada¹, Kota Yamamoto¹, Yoshihiro Takahashi¹, Yan Wu¹ (1.Nihon Univ.)

Keywords:parasitic bipolar effect,single event effect,narrowing band-gap

微細SOI-MOSFETに重イオンが照射された際に、発生電荷量の蓄積によるチャネル電位変動に起因し発生電荷量以上の電荷が回路に収集される(寄生バイポーラ効果)。本研究では、Source/Drain領域のバンドギャップが寄生バイポーラ効果に及ぼす影響について検討した。その結果、バンドギャップの狭小化に伴いSOI-MOSFETの収集電荷量が急峻に低下することをデバイスシミュレータにより確認した。