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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-H121-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

2016年3月19日(土) 13:15 〜 18:00 H121 (本館)

有田宗貴(東大)、太田実雄(東大)、小島一信(東北大)

16:45 〜 17:00

[19p-H121-12] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によるInGaN/GaN単一量子ディスクナノLEDの作製

〇小川航平¹、蜂屋諒¹、水谷友哉¹、石嶋駿¹、菊池昭彦^1,2 (1.上智大理工、2.上智大学ナノテクセンター)

キーワード：窒化物半導体、ナノ構造、エッチング

　　　