[19p-P11-1~14] 12.2 評価・基礎物性

[19p-P11-7] バイアス印加HAXPES測定による有機トランジスタ動作中の有機半導体層内部の電位分布観察 Ⅱ

〇渡辺 剛¹、多田 圭佑²、安野 聡¹、吉本 則之²、広沢 一郎¹ (1.高輝度光科学研究セ、2.岩手大工)

キーワード：有機半導体、硬X線光電子分光

バイアス印加硬X線光電子分光(BA-HAXPES)法を用いて、OTFT動作中での有機膜内部の電位を観察した。今回は、ゲート電圧とソース・ドレイン電圧を系統的に変化させることで、OTFT動作中に形成される有機膜内部の電位分布の詳細な検討を行った。