[19p-P12-1~27] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[19p-P12-16] 二層InSiO薄膜トランジスタの水素還元とオゾン酸化効果

〇木津 たきお¹、相川 慎也²、生田目 俊秀¹、塚越 一仁¹ (1.物材機構、2.工学院大)

キーワード：酸化物半導体、薄膜トランジスタ、水素アニール

酸素結合解離エネルギーの高い材料を酸化インジウムに微量添加することで，安定性や移動度の高いアモルファス酸化薄膜トランジスタの研究を行っている．本発表では，半導体的InSiO膜と絶縁体的InSiO膜との二層構造TFTにおける水素還元効果と酸化雰囲気によるリカバリー特性について報告し，安定したInSiO絶縁膜によるキャップ効果及び二層InSiO膜中における水素と酸素の挙動について議論する．