[19p-P12-1~27] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[19p-P12-18] ゲート絶縁膜厚がZnO-SnO₂薄膜を用いたTFT特性に与える影響

〇佐藤 和郎¹、田中 剛¹、山田 義春¹、村上 修一¹、筧 芳治¹、櫻井 芳昭¹ (1.大阪府立産技研)

キーワード：TFT、酸化物、ZTO