[19p-P3-1~7] 13.3 絶縁膜技術

[19p-P3-5] GaN MOSデバイスのゲート絶縁膜に向けたAl₂O₃とSiO₂の混合膜の検討

〇菊田 大悟¹、伊藤 健治¹、成田 哲生¹、森 朋彦¹ (1.豊田中研)

キーワード：ゲート絶縁膜、MOS、GaN