[19p-P4-1~17] 13.5 デバイス／集積化技術

△ [19p-P4-7] 多層Al ゲート構造を用いたSi-MOS 量子ドットデバイス作製プロセスの検討

〇本田 拓夢¹、米田 淳²、武田 健太²、川那子 高暢¹、小寺 哲夫^4,5、樽茶 清悟^2,3,5、小田 俊理¹ (1.東工大量子ナノ研、2.理化学研究所、3.東大、4.東工大、5.東大ナノ量子機構)

キーワード：量子ドット