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[19p-P6-8] SiF4凝縮層の低速電子線誘起反応と水素原子のトンネル反応を利用したa-SiNxの極低温合成
キーワード：アモルファスシリコン、窒化シリコン、極低温
我々は水素原子のトンネル反応と、低速電子線照射による電子線誘起反応を組み合わせた化学気相堆積法「EBICVD-LTTR法」により非晶質シリコン系薄膜(a-Si:H、a-SiNx:H、a-SiC:H)および微結晶Si（nc-Si:H）が形成可能であることを示した1)。この極低温合成法を、次世代太陽電池などの量子ドット構造デバイスの創製に応用するために、先ずnc-Si:H選択形成のための低温プロセスを検討してきた2)。四フッ化ケイ素(SiF4)とXe混合ガス凝縮層への電子励起により合成したa-S:Fは、レーザーアニールにより結晶化され易いことを見出した。本研究では、マトリックスであるa-SiN膜の低温合成プロセスとその物性について報告する