2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » 発光イメージングが切り拓く半導体結晶・デバイス評価の明るい未来

[19p-S011-1~11] 発光イメージングが切り拓く半導体結晶・デバイス評価の明るい未来

2016年3月19日(土) 13:30 〜 17:45 S011 (南講義棟)

石河 泰明(奈良先端大)、片山 竜二(東北大)、矢野 裕司(筑波大)

15:00 〜 15:15

[19p-S011-5] EL測定を用いたGaAs太陽電池の構造評価と効率向上

井上 智之1、トープラサートポン カシディット1、デゥラマレー アモリ1,2、渡辺 健太郎1,2、ギルモー ジャンフランソワ2、杉山 正和1,2、中野 義昭1,2 (1.東大工、2.ネクストPV)

キーワード:ガリウムヒ素、エレクトロルミネッセンス

本研究では, GaAs p-i-nセルを用いて発光効率測定を行い, 層構造がセル特性に与える影響を調査した. まず, 一方にのみBack Surface Field (BSF)層を挿入し, それ以外の層構造は同一となる二つのGaAsセルを評価した. BSF層は主に光電流が基板側に拡散するのを防ぎ, 光電流の回収効率を増大させる働きを持つ. 本研究では, 光照射下におけるBSF層によるVocの増大効果だけでなく, EL測定の結果からBSF層による内部発光効率の増大効果が示された.