[19p-S011-1~11] Blazing frontier of luminescence imaging for characterization of semiconductor crystals and devices

[19p-S011-6] Characterization of extended defects in 4H-SiC by PL imaging

〇Hidekazu Tsuchida¹, Isaho Kamata¹, Ryohei Tanuma¹, Masahiro Nagano¹ (1.CRIEPI)

Keywords:silicon carbide,photoluminescence,extended defect

シリコンカーバイド (SiC) パワーデバイスは，各種の電力変換における損失低減を通じて，大きな省エネ効果をもたらすものとして注目されている。SiCウェーハ中に存在する拡張欠陥は，素子の電気的性能に様々な影響を及ぼすため，SiCパワーデバイスの開発において，SiCウェーハ中の転位や積層欠陥の検出・分別手法や制御手法を得ることが重要である。ここでは，PLイメージングによる4H-SiC結晶欠陥の評価技術に関する研究成果を紹介する。