[19p-S011-1~11] Blazing frontier of luminescence imaging for characterization of semiconductor crystals and devices

[19p-S011-7] Confocal-microscope observation on single photon sources in 4H-SiC MOSFETs

〇Takahide Umeda¹, Yuta Abe¹, Yuwei Zhu¹, Mitsuo Okamoto², Ryoji Kosugi², Shinsuke Harada², Moriyoshi Haruyama³, Shinobu Onoda³, Takeshi Ohshima³ (1.Univ. of Tsukuba, 2.AIST, 3.JAEA)

Keywords:4H-SiC,single photon source,MOSFET

単一発光欠陥が識別できる共焦点レーザー走査型蛍光顕微鏡（CFM）を使って4H-SiC MOS型電界効果トランジスタ（MOSFET）中の欠陥観察を行った結果について報告する。トランジスタ中に単一光子源となる発光欠陥が発生していることを初めて確認し、その発生がトランジスタの部位やプロセスによって異なることが分かった。