2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » 発光イメージングが切り拓く半導体結晶・デバイス評価の明るい未来

[19p-S011-1~11] 発光イメージングが切り拓く半導体結晶・デバイス評価の明るい未来

2016年3月19日(土) 13:30 〜 17:45 S011 (南講義棟)

石河 泰明(奈良先端大)、片山 竜二(東北大)、矢野 裕司(筑波大)

16:00 〜 16:15

[19p-S011-7] 4H-SiC MOSFET中の単一表面欠陥の共焦点顕微鏡観察

梅田 享英1、阿部 裕太1、Y.-W. Zhu1、岡本 光央2、小杉 亮治2、原田 信介2、春山 盛善3、小野田 忍3、大島 武3 (1.筑波大数物、2.産総研、3.原子力機構)

キーワード:炭化ケイ素、単一光子源、トランジスタ

単一発光欠陥が識別できる共焦点レーザー走査型蛍光顕微鏡(CFM)を使って4H-SiC MOS型電界効果トランジスタ(MOSFET)中の欠陥観察を行った結果について報告する。トランジスタ中に単一光子源となる発光欠陥が発生していることを初めて確認し、その発生がトランジスタの部位やプロセスによって異なることが分かった。