2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[19p-S223-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2016年3月19日(土) 15:30 〜 18:00 S223 (南2号館)

上野 智雄(農工大)、嵯峨 幸一郎(ソニー)

16:30 〜 16:45

[19p-S223-5] 走査型非線形誘電率顕微鏡を用いたdC/dVとdC/dz測定によるキャリア濃度の定量化に関する研究

劉 彬1、平永 良臣1、茅根 慎通1、長 康雄1 (1.東北大学)

キーワード:キャリア濃度プロファイル、走査型プローブ顕微鏡法、走査型非線形誘電率顕微鏡法