[19p-S423-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19p-S423-14] ホットキャリアストレス誘起のRTNと発生した酸化膜トラップの評価

〇(M2)大澤 航¹、土屋 敏章¹ (1.島大工)

キーワード：半導体、ランダム・テレグラフ・ノイズ、ホットキャリアストレス

ホットキャリアストレスによってMOSトランジスタのドレイン付近に酸化膜トラップが発生し，新たなランダム・テレグラフ・ノイズが誘起されることを示すと共に，新たに発生した酸化膜トラップの酸化膜界面からの位置とエネルギー準位を評価した．