2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19p-S423-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2016年3月19日(土) 13:45 〜 18:15 S423 (南4号館)

中村 友二(富士通研)、角嶋 邦之(東工大)

17:30 〜 17:45

[19p-S423-15] 塩素中性粒子ビームを用いたGe Finトランジスタ・チャネル加工

李 恩慈1、〇野田 周一1、水林 亘2、遠藤 和彦2、寒川 誠二1,2 (1.東北大流体研、2.産総研ナノエレ)

キーワード:Ge Fin トランジスタ、中性粒子ビームエッチング