2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.8 結晶評価,不純物・結晶欠陥

[20a-H113-1~12] 15.8 結晶評価,不純物・結晶欠陥

2016年3月20日(日) 09:30 〜 12:45 H113 (本館)

沓掛 健太朗(東北大)、永井 勇太(グローバルウェーハズ・ジャパン)

11:30 〜 11:45

[20a-H113-8] Si結晶中の低濃度炭素の赤外吸収測定
(Ⅷ) 第二世代技術による1014 cm−3台の測定とSIMS,放射化

渡邉 香1、井上 直久2,9、後藤 安則3、杉山 隆英4、関 洋文5、大渕 真澄6、鵜野 浩行7、藤山 紀之5、嶋田 茂8、河村 裕一9 (1.システムズエンジニアリング、2.東京農工大、3.トヨタ自動車、4.豊田中研、5.東レリサーチ、6.ナノサイエンス、7.住重試験、8.ブルカー、9.大阪府大)

キーワード:シリコン結晶、赤外、炭素濃度

Si結晶中の低濃度炭素測定について、極低濃度試料の探索を続け1014 cm−3台前半を入手できて巡回測定に使えるようになった。ブロックゲージと標準的な赤外測定ルーチン、以前の巡回試料などを世界の主要な関連機関に提供し、測定スペクトルを詳細に検討して有効性を確かめ装置や測定・解析手続きなどの課題を抽出した。新たに各機関が作製する試料の評価や巡回測定のサポートにより5×1014 cm−3前後までの新金協での赤外・SIMS・放射化の規格化と参照試料や標準試料の普及を進めると共に、さらに計画に従って1×1014cm−3前後までの規格化の準備と、1013 cm−3台の測定法の確立をめざしている。