[20a-H113-1~12] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[20a-H113-8] Si結晶中の低濃度炭素の赤外吸収測定
(Ⅷ) 第二世代技術による10¹⁴ cm⁻³台の測定とSIMS,放射化

〇渡邉 香¹、井上 直久^2,9、後藤 安則³、杉山 隆英⁴、関 洋文⁵、大渕 真澄⁶、鵜野 浩行⁷、藤山 紀之⁵、嶋田 茂⁸、河村 裕一⁹ (1.ｼｽﾃﾑｽﾞｴﾝｼﾞﾆｱﾘﾝｸﾞ、2.東京農工大、3.ﾄﾖﾀ自動車、4.豊田中研、5.東ﾚﾘｻｰﾁ、6.ﾅﾉｻｲｴﾝｽ、7.住重試験、8.ﾌﾞﾙｶｰ、9.大阪府大)

キーワード：シリコン結晶、赤外、炭素濃度

Si結晶中の低濃度炭素測定について、極低濃度試料の探索を続け10¹⁴ cm⁻³台前半を入手できて巡回測定に使えるようになった。ブロックゲージと標準的な赤外測定ルーチン、以前の巡回試料などを世界の主要な関連機関に提供し、測定スペクトルを詳細に検討して有効性を確かめ装置や測定・解析手続きなどの課題を抽出した。新たに各機関が作製する試料の評価や巡回測定のサポートにより5×10¹⁴ cm⁻³前後までの新金協での赤外・SIMS・放射化の規格化と参照試料や標準試料の普及を進めると共に、さらに計画に従って1×10¹⁴cm⁻³前後までの規格化の準備と、10¹³ cm⁻³台の測定法の確立をめざしている。