[20a-H121-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[20a-H121-10] Determination of internal quantum efficiency in GaN by simultaneous measurements of photoluminescence and photo-acoustic signals

〇Takashi Nakano¹, Kawakami Kohei¹, Yamaguchi Atsushi¹ (1.Kanazawa Inst. Tech.)

Keywords:GaN,Photo-acoustic,Internal quantum efficiency

窒化物半導体の内部量子効率は、発光 (PL)強度の温度依存性から、極低温における内部量子効率を100%と仮定して、求められることが多い。しかし、欠陥の多い窒化物半導体で、この仮定は必ずしも正しいとは限らない。本研究では、異なる品質のGaNについて、光音響・発光同時計測法によって、正しい内部量子効率を測定した。その結果、質の悪いGaN試料では、従来の方法で正しい内部量子効率が求められないことが明らかとなった。