[20a-H121-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[20a-H121-11] Radiative and non-radiative recombination lifetimes in GaN estimated from time-resolved PL and simultaneous PA/PL measurements

〇Kohei Kawakami¹, Takashi Nakano¹, Atsushi Yamaguchi¹ (1.Kanazawa Inst.of Tech.)

Keywords:nitride semiconductor,IQE,recombination lifetime

半導体の輻射・非輻射再結合寿命は、発光(PL)寿命とPL強度の温度変化から、極低温での内部量子効率(IQE)を100％と仮定することによって、見積もられることが多い。しかし、欠陥の多い窒化物半導体において、この仮定は必ずしも正しくない。そこで本研究では、光音響・発光同時計測から求めた正しいIQEを基にPL寿命を解析し、正しい再結合寿命を見積もった。その結果、輻射再結合寿命は温度の1.5乗に比例して増加するのに対し、非輻射再結合寿命はほぼ変化せず、その絶対値は測定試料の品質に依存することがわかった。