[20a-H121-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20a-H121-6] InGaN 量子井戸の選択領域In 拡散によるバンドギャップ制御と光導波路作製

〇横川 俊哉¹、栫 拓也¹、今井 康彦²、木村 滋² (1.山口大工、2.JASRI)

キーワード：窒化物半導体、量子井戸、拡散

量子井戸の無秩序化（混晶化）のプロセスは、パターンニングされた所望の領域におけるバンドギャップや屈折率を自由に変化させることができることから、活発に研究されてきた。無秩序化し混晶となった領域のバンドギャップは、元の量子井戸のバンドギャップと比較して、大きくなり、また屈折率は小さくなる。そのため光導波路が形成できる。我々はInGaN量子井戸において転位密度とIn取り込みや拡散との相関を明らかにした。また熱処理を行う際、保護膜を形成することで欠陥生成が抑制され、Inの拡散が抑制できることも報告し、In拡散と欠陥との相関を示した。これらの結果をベースに、今回保護膜を選択的に面内に形成し、所望の領域で欠陥生成してInを拡散し、バンドギャップを面内で選択的に制御することができたので報告する。