[20a-H121-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20a-H121-9] InGaN/GaN規則配列ナノコラムにおける局在深さの解析

〇金城 一哉¹、猪瀬 裕太¹、佐藤 光¹、江馬 一弘^1,2、中岡 俊裕^1,2、大音 隆男¹、岸野 克巳^1,2 (1.上智大理工、2.上智ナノテク)

キーワード：InGaN