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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[20a-S221-1~12] 13.3 絶縁膜技術

2016年3月20日(日) 09:00 〜 12:15 S221 (南2号館)

石田猛(日立)、小山正人(東芝)

10:45 〜 11:00

▲ [20a-S221-7] Thermodynamic Control of GeO₂ Suppression in SiGe Oxidation by p_O2 and Temperature Manipulation

〇(D)宋宇振¹、鳥海明¹ (1.東大院工)

キーワード：SiGe,Oxidation,Thermodynamics

　　　